Inicialmente, la idea de los emisores selectivos surgió en el contexto del desarrollo de células de alta eficiencia, que requieren varias fases fotolitográficas de fabricación. La fotolitograf+ia es también un método habitual para la estructuración de microchips: una resina fotosensible aplicada al silicio sirve´de capa de barrera y se expone a la luz hasta que se forma una máscara tras eliminar las zonas irradiadas. Gracias a la máscara se puede determinar áreas de dopa de diferente intensidad.

La máscara asegura  que se queden abiertas sólo las zonas de conductividad en el proceso de difusión para el dopado concentrado. En tra fase se realiza, sin máscara, una difusión de baja concentración sobre la oblea entera.

La empresa Merck KGaA completa primero el dopado débil de todo el frente de obleas y a continuación, aplica la capa antirreflectante (ARC). Una pasta decapante depositada mediante serigrafía abre el ARC bajo acción térmica. El segundo proceso de difusión que viene a continuación sirve para el dopado de alta concentración debajo de los contactos.

En ambas variantes, es imprescindible que el posterior proceso de serigrafía para la metalización acierte con gran precisión las zonas de alto dopado ya que de lo contrario reduciría la eficiencia de las células. El inconveniente de la doble difusión radica en el doble calentamiento de las obleas a 850 grados centígrados, que podría acortar la vida media de las células.




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